當大家還在討論 HBM（高頻寬記憶體）產能不足、散熱太難搞的時候，英特爾在日本舉辦的 Intel Connection Japan 2026 活動中，首度展示了代號為 ZAM（Z-Angle Memory）的記憶體原型技術 。這項技術不僅功耗直接砍半，單晶片的儲存容量更推升到驚人的 512GB，外界預期這將成為 AI 運算領域的全新遊戲規則改變者 。
捨棄垂直鑽孔：Z-Angle 架構解開散熱枷鎖
目前市場主流的高階記憶體如 HBM，主要是利用 TSV（矽穿孔）技術進行垂直堆疊連接。雖然這能提供極高的頻寬，但密集的垂直鑽孔也帶來了嚴重的散熱瓶頸與物理結構壓力。
英特爾這次與軟銀旗下的 Saimemory 聯手 ，開發出獨特的 Z-Angle 架構。這項技術的核心在於採用了錯位互連拓撲結構（staggered interconnect topology），讓晶片內部的走線改為對角線方向 。英特爾指出，這種設計能從物理層面直接避開熱源累積，解決了困擾業界許久的散熱瓶頸，進而讓計算效能得到更大幅度的釋放 。
數據會說話：功耗降 50%、容量大躍進
根據現場釋出的資料，ZAM 記憶體展現了足以讓傳統 HBM 汗顏的實力：
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功耗表現：受惠於 Z-Angle 互連技術，功耗較現有方案降低了 40% 至 50% 。在目前動輒上千瓦的 AI 伺服器環境中，這樣的省電效率極具吸引力。
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單片容量：單晶片最高可達 512GB，遠遠甩開目前市面上主流記憶體產品的規格 。
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效能潛力：雖然詳細頻寬數據尚未完全公開，但初步測試顯示其效能指標完全具備對標甚至超越 HBM 的潛力 。
軟銀助力：Saimemory 的商用化之路
值得關注的是這項技術背後的推手——Saimemory。這家公司是軟銀在 2024 年底成立的子公司，並在 2025 年正式投入營運 。這次英特爾選擇與軟銀體系深度合作，顯然是為了加速 ZAM 技術的商用化進程，並透過軟銀在半導體與 AI 產業的佈局，為這項新標準爭取更多的盟友。
這讓人聯想到英特爾過去曾大力推動的「Optane」（傲騰）記憶體。當時 Optane 也以革命性的技術結構試圖填補 DRAM 與儲存裝置間的空白，雖然最後因為生態系與成本問題黯然退場，但英特爾顯然並未放棄在記憶體技術上的創新野心。
這次 ZAM 的出現，被許多專業網友認為是英特爾「重拾老本行」的展現。如果 ZAM 能在成本與量產良率上取得平衡，未來不論是在資料中心、高效能運算或是高階遊戲應用上，都可能徹底改寫記憶體市場的版圖。
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